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IBM突破7纳米制程瓶颈或左右

时间:2018-09-07 15:49:52| 来源:| 编辑:笔名| 点击:0次

IBM突破7纳米制程瓶颈 或左右Power处理器发展

IBM与合作伙伴成功研制出7纳米的测试芯片,延续了摩尔定律,突破了半导体产业的瓶颈。对于IBM而言,7纳米制程技术的后续发展将会影响旗下Power系列处理器的规划蓝图。

据The Platform站报导,7纳米制程芯片背后结合了许多尚未经过量产测试的新技术,IBM与格罗方德(GlobalFoundries)、三星电子(Samsung Electronics)等合作伙伴,对何时能实际以7纳米制程制作处理器与其他芯片并未提出时程表。

IBM这次利用硅锗(silicon germanium)制造一部分的电晶体,因而能减少提升电路表现时进行快速切换的耗电量,而电路都是以极紫外线(Extreme UltraViolet;EUV)光刻技术蚀刻。

IBM研究表示,目前最先进的技术能够制造10纳米芯片,但是利用硅锗制作电晶体通道和EUV光刻,能够缩小电晶体尺寸的一半,同时还能够提升50%的电路电力效率。然而,EUV对于震动特别敏感,制作过程非常精密,因此要量产将有难度,价格也会十分高昂。

IBM 表示,7纳米制程可使指甲大小的服务器芯片容纳200亿个电晶体,将近是Power8的4倍之多,而芯片的尺寸也应该会比Power8的要小得多。相较之 下,英特尔(Intel)即将上市的72核心Knights Landing Xeon Phi处理器目前只有约80亿电晶体。

在服务器方面,英特尔(Intel)为Xeon处理器的Broadwell架构系列采14纳米制程,并且预备在2015年底使用相同的14纳米制程量产Skylake桌电与笔电处理器。Skylake Xeon处理器预计将在2017年上市。

IBM以Power系列芯片迎战Xeon的处理器,并透过与其他企业合作与竞争对手Intel并驾齐驱,加强其他企业对Power系列的投资信心。

IBM 为Power7处理器采用45纳米制程,升级为8核心芯片

IBM突破7纳米制程瓶颈或左右

,时脉速度介于2.4~4.25GHz间。此外,每个芯片内建32MB的DRAM L3快取存储器,大幅提升许多工作性能。Power7芯片还支持同步多执行绪(Simultaneous MultiThreading;SMT),提供每个核心4条执行绪,最高可同时执行32项任务。

Power7+则缩小至32纳米制程,IBM因此能把L3快取存储器从Power7的32MB再提升到80MB,并稍微调高时脉速度。

2014年IBM推出的Power8又缩至22纳米制程,芯片可容纳42亿个电晶体。因此达到12核心,L3快取存储器提高到96MB,并且使Power8芯片的SMT增加到每核心8条执行绪。

根据OpenPower的高效能运算(HPC)规划蓝图,Power9不久后也会推出,同时预计2016年还会推出interim Power8芯片支援NVIDIA的NVLink技术,帮助紧密地连接GPU与CPU,以达到更有效率的混合(hybrid)运算。

IBM与其OpenPower合作伙伴,已经瞄准2020年后Power10甚至Power11芯片的研发计划。但是这都要看7纳米制程是否能够商业化,并且在合乎时间与成本效益的前提下于GlobalFoundries的芯片厂进行量产。